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高功率红外LED 筛选

IB 1W

采用大功率20mil 红外芯片,利用大功率陶瓷封装技术(陶瓷基板+硅胶透镜),实现高导热率和耐大电流性能,同时拥有独特的光学设计和全系列角度(20°、30°、40°、80°、90°、120°、160°),可以满足安防领域不同角度需求。

产品优势

高导热陶瓷基材

耐大电流封装技术

独特的光学设计

更好的散热、低热阻


产品特征

大功率陶瓷封装,多角度光学设计

20mil红外芯片

尺寸:3.5x3.5mm

支持表面贴片技术(SMT)

热电分离焊盘设计


产品展示

电性参数: (T solder pad =25 ℃) 
产品型号

峰值波长 

 (nm)

总辐射能量

 (mW)

电压(V)

指向性 

 (degree)

电流     (mA)LED高度
Typ. Max. 
IBP8530K-35850150~3001.4220°2503.30mm
IBP8550K-35850150~3001.4230°2503.05mm
IBP8584K-35850150~3001.4250°2502.60mm
IBP85100K-35850150~3001.4250°2502.20mm
IBP85120K-35850150~3001.4280°2502.45mm
IBP85130K-35850150~3001.4290°2502.25mm
IBP85120B-35850150~3001.42120°2502.20mm
IBP85140K-35850150~3001.42140°2501.40mm


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