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硅衬底LED芯片


晶能光电硅衬底大功率LED芯片是基于获得2015年度国家技术发明奖一等奖的硅衬底氮化镓基LED技术制造，具有电流分布均匀扩散快，单面出光，方向性好，光品质好，所以特别适合汽车照明、探照灯、矿灯等移动照明、手机闪光灯以及光品质要求比较高的高端照明领域。


产品型号尺寸 (mil) 电流范围 (mA)    输出功率/mW      电压/V     主波长 (nm) 
LPTBG18A18x18150~200210~285@150mA2.8-3.4@150mA445-465@150mA
LPTBG24A24x24350~500510~680@350mA2.9-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG26G26x26350~500525~680@350mA2.9-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG27C27x27350~500500~680@350mA2.9-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG30D30x30350~500540~680@350mA2.8-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG32E32x32350~500540~680@350mA2.8-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG35B35x35350~700550~760@350mA2.7-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG36C36x36350~700570~760@350mA2.7-3.3@350mA445-465@350mA
LPIBG36A36x36350~500400~640@350mA2.6-3.4@350mA445-465@350mA
LPTBG42C42x42350~1000570~800@350mA2.7-3.3@350mA445-465@350mA
LPTBG45D45x45350~1000540~760@350mA2.7-3.2@350mA445-465@350mA
LPTBG56E56x56350~1500600~860@350mA2.6-3.1@350mA445-465@350mA
LPTBG55D55x55C350~3500600~800@350mA2.8-3.1@1A445-465@1A
LPIBG63C63x63350~1500510~680@350mA2.6-3.1@350mA445-465@350mA
LPTBG63D63x63C350~4500600~860@350mA2.7-3.2@1A445-465@1A
LPTBG73F73x73350~2000600~860@350mA2.7-3.0@1A445-465@1A
LPTBG81F81x81350~2000600~860@350mA2.7-3.0@1A445-465@1A
LPTBG80F80x80C1000~7000570~760@350mA2.7-3.1@1A445-465@1A
LPTBGC0E120x120C1000~10000600~800@350mA2.6-3.0@1A445-465@1A


应用领域

便携式照明

手机闪光灯

车用照明

特殊照明

室内外照明

特点和优点

● 采用银反射镜电极，电流分布更均匀，可用大电流驱动

● 硅衬底比蓝宝石衬底散热好

● 具有朗伯发光形貌，白光出光均匀，容易二次配光

● 打线少，可靠性高

● 可采用导电银胶，焊锡或共晶焊固晶

● 硅衬底LED芯片单面出光，且分布均匀，适合做荧光粉直涂的直接白光芯片，降低封装成本

● 适合于陶瓷基板封装，使大功率封装容易自动化

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