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硅衬底LED芯片
晶能光电硅衬底大功率LED芯片是基于获得2015年度国家技术发明奖一等奖的硅衬底氮化镓基LED技术制造，具有电流分布均匀扩散快，单面出光，方向性好，光品质好，所以特别适合汽车照明、探照灯、矿灯等移动照明、手机闪光灯以及光品质要求比较高的高端照明领域。
| 产品型号 | 尺寸 (mil) | 电流范围 (mA) | 主波长 (nm) |
| LPTBG32B | 32x32 | 350~500 | 445~465 |
| LPTBG36A | 36x36 | 350~700 | 445~465 |
| LPTBG45A | 45x45 | 350~1000 | 445~465 |
| LPTBG56D | 56x56 | 350~1500 | 445~465 |
| LPTBG81B | 81x81 | 350~2000 | 445~465 |
特点和优点
● 采用银反射镜电极，电流分布更均匀，可用大电流驱动
● 硅衬底比蓝宝石衬底散热好
● 具有朗伯发光形貌，白光出光均匀，容易二次配光
● 打线少，可靠性高
● 可采用导电银胶，焊锡或共晶焊固晶
● 硅衬底LED芯片单面出光，且分布均匀，适合做荧光粉直涂的直接白光芯片，降低封装成本
● 适合于陶瓷基板封装，使大功率封装容易自动化
