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晶能技术
领先的核心专利
晶能技术
多发光，少发热
%>晶能技术
领先的核心专利
- 参考文献
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- Silicon-Based GaN High-Power LED
- Silicon-based LEDs leap from lab to fab
- Si衬底GaN基LED的结温特性
- 硅衬底GaN基LED的研究进展
- Si衬底GaN基LED理想因子的研究
- 硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能
- SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响
- 刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响
- 硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究
- 掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究
- 转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响
- 光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率
