目前市场上出售的氮化镓基发光二极管都是以蓝宝石或碳化硅作为衬底，其核心专利分别被日本、美国所垄断。以第一代半导体材料硅作为衬底生长氮化镓基发光材料是业界的梦想，但因为存在诸多难以克服的困难，全球许多研发机构都无功而返。晶能光电成功地解决了硅衬底氮化镓基外延材料龟裂、发光二极管亮度低、工作电压高、可靠性差等问题，开发成功的硅衬底氮化镓基发光二极管外延材料质量和器件性能均处于国际同类材料与器件的领先水平。

    863专家组对此项技术的评价是：“打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面。”

    晶能光电目前生产的芯片具有如下三大优势：
    （一）、具有原创知识产权：产品可销往国际市场，不受国际专利限制。
    （二）、具有优良的性能：产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高。
    （三）、器件封装工艺简单：芯片为上下电极，单引线垂直结构，在器件封装时只需单电极引线，简化了封装工艺，节约了封装成本。